机译:陷阱对AlGaN / GaN HEMT栅极漏电流的负电荷影响
机译:栅极氧化过程中由于电荷陷阱和磷污染物引起的栅极氧化物的瞬时泄漏
机译:掺Dy的$ hbox {HfO} _ {2} $栅氧化物n-MOS器件的栅极漏电流和电荷陷阱特性降低
机译:相溶解行为对枯竭气藏和含水层中CO2捕集性能预测的影响
机译:通过水进入天然气储层来捕集和运气。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:浸入储层气体中捕获的杂质原子的耗散动力学和冷却速率
机译:ZmR(区域熔化 - 再结晶)和sImOX(氧注入)sOI(绝缘体上硅)mOsFET中的栅极氧化物泄漏和电荷俘获的研究